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    氮化鎵材料 _GaN厚膜襯底_ 氮化鎵自支撐襯底-蘇州納維科技有限公司

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    蘇州納維科技有限公司創(chuàng)立于2007年,以中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所為技術(shù)依托,立足于設(shè)備的自主研發(fā),專注于從事高質(zhì)量、大尺寸氮化物材料的生長(zhǎng)與產(chǎn)品開發(fā),為產(chǎn)業(yè)界和研發(fā)機(jī)構(gòu)提供各類氮化鎵材料,目前公司擁有核心技術(shù)專利三十余項(xiàng),是中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商。
    目前公司針對(duì)企業(yè)、高校和研究所的不同用戶,主要提供如下產(chǎn)品:一、15~50微米厚度的2英寸GaN厚膜襯底(GaN/sapphire),位錯(cuò)密度為107/cm2量級(jí),分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型;二、2英寸氮化鎵自支撐襯底(free-standing GaN substrate),厚度約0.3mm,位錯(cuò)腐蝕坑密度為106/cm2量級(jí),分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型;三、小尺寸方形(邊長(zhǎng)5mm~20mm)氮化鎵襯底,位錯(cuò)腐蝕坑密度為106/cm2量級(jí),分為n型摻雜、非摻雜和半絕緣三種類型,單面或者雙面拋光;四、小尺寸非極性面氮化鎵襯底,a面或者m面;五、高結(jié)晶度氮化鎵粉體材料;六、氮化鋁襯底。
     蘇州納維將立足于材料生長(zhǎng)技術(shù)和設(shè)備的持續(xù)創(chuàng)新,努力在新一代顯示、節(jié)能照明、微波通訊、電力電子、醫(yī)學(xué)成像等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?yàn)橄掠慰蛻魩砗诵膬r(jià)值。

     
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